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電子技術基礎

電子技術基礎

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電子技術基礎

1、半導體的導電能力隨温度變化而變化;

2、P型半導體又稱為空穴半型半導體;

3、PN結的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做正偏;

4、PN結的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做反偏;

5、PN結正向偏值時處於導通狀態;

6、PN結反向偏值時處於截止狀態;

7、硅二極管的正向電壓為0.7V,鍺管為0.3V;

8、對於質量良好的`二極管,其正向電阻一般為幾百歐姆;

9、穩壓二極管廣泛應用於穩壓電源與限幅電路中;

10、變容二極管的反向偏壓越大,其結電容越大;

 電子技術基礎

1、晶體管具有電流放大作用的內部條件是基區很薄、集電結面積大;

2、晶體管放大作用的實質是用一個小電流控制一個大電流;

3、晶體管的擊穿電壓與温度有關,會發生變化;

4、PNP型與NPN型晶體管都可以看成是反向串聯的兩個PN結;

5、帶阻尼晶體管是將晶體管、阻尼二極管、與保護電阻封裝在一起構成的;

6、差分對管是將兩隻性能參數相同的晶體管封裝在一起構成的;

7、達林頓管的放大係數很高,主要用於高增益放大電路等;

8、場效應晶體管可分為結型和絕緣柵型兩大類;

9、結型場效應不僅僅依靠溝道中的自由電子導電;

10、場效應晶體管的輸出特性曲線可分為四個區域;

標籤: 電子技術
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